VS2522AL MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: VS2522AL
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 170 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.032 Ohm
Encapsulados: SOT23
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VS2522AL datasheet
vs2522al.pdf
VS2522AL -20V/-6A P-Channel Advanced Power MOSFET Features V DS -20 V P-Channel -2.5V Logic Level Control R DS(on) ,TYP @VGS=-4.5V 25 m Enhancement mode R DS(on) ,TYP @VGS=-2.5V 34 m Low on-resistance RDS(on) @ VGS=-2.5 V I D -6 A Fast Switching Pb-free lead plating; RoHS compliant; Halogen Free SOT23-3L Tape and reel Part ID Package Typ
Otros transistores... SM3429BSQA , SM4033NHKP , SM4500NHKP , SM4512NHKP , SM6166NHKP , VS150N08BT , VS1606GS , VS2301BC , IRF3205 , VS2622AE , VS2N7002K , VS3508AE , VS3518AE , VS3522AE , VS3540AC , VS3610AE , VS3618AE .
History: IXFB170N30P | APT50M80LVFR
History: IXFB170N30P | APT50M80LVFR
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Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10 | ASW80R290E | ASW65R120EFD | ASW65R110E | ASW65R095EFD | ASW65R046EFD | ASW65R041EFDA | ASW65R041E | ASW60R150E | ASW60R090EFDA
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