VS2522AL - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: VS2522AL
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Cossⓘ - Выходная емкость: 170 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.032 Ohm
Тип корпуса: SOT23
Аналог (замена) для VS2522AL
VS2522AL Datasheet (PDF)
vs2522al.pdf
VS2522AL -20V/-6A P-Channel Advanced Power MOSFET Features V DS -20 V P-Channel-2.5V Logic Level Control R DS(on) ,TYP @VGS=-4.5V 25 m Enhancement mode R DS(on) ,TYP @VGS=-2.5V 34 m Low on-resistance RDS(on) @ VGS=-2.5 V I D -6 A Fast Switching Pb-free lead plating; RoHS compliant; Halogen Free SOT23-3L Tape and reel Part ID Package Typ
Другие MOSFET... SM3429BSQA , SM4033NHKP , SM4500NHKP , SM4512NHKP , SM6166NHKP , VS150N08BT , VS1606GS , VS2301BC , IRF3205 , VS2622AE , VS2N7002K , VS3508AE , VS3518AE , VS3522AE , VS3540AC , VS3610AE , VS3618AE .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: SLI40N26C | SLB40N26C | RM150N100HD | HYG043N10NS2B | HYG043N10NS2P | HCA60R070F | FTP16N06A | AGM615MNA | AGM615MN | AGM615D | AGM614MNA | AGM614MN | AGM614MBP-M1 | AGM614MBP | AGM614D | AGM614A-G
Popular searches
2n404 | 2n4250 | d882 transistor equivalent | 17n80c3 | bc107 transistor | rjp63g4 datasheet | 2sc1115 | c3998 transistor


