VS2622AE Todos los transistores

 

VS2622AE MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: VS2622AE
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 29 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 56 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 4.6 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 200 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0067 Ohm
   Paquete / Cubierta: PDFN3333
     - Selección de transistores por parámetros

 

VS2622AE Datasheet (PDF)

 ..1. Size:693K  cn vanguard
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VS2622AE

VS2622AE 20V/56A N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 20 V Features R DS(on),TYP@ VGS=10V 4.8 m N-Channel2.5V logic level control R DS(on),TYP@ VGS=4.5V 5.6 m Enhancement mode I D 56 A Low on-resistance RDS(on) @ VGS=2.5 V PDFN3333 Fast Switching and High efficiency Pb-free lead plating; RoHS compliant Tape and reel Part ID Package Type Ma

 ..2. Size:1032K  cn vgsemi
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VS2622AE

VS2622AE20V/56A N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 20 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10V 4.8 m N-Channel2.5V logic level controlR DS(on),TYP@ VGS=4.5V 5.6 m Enhancement modeI D 56 A Low on-resistance RDS(on) @ VGS=2.5 VPDFN3333 Fast Switching and High efficiency Pb-free lead plating; RoHS compliantPart ID Package Type Marking PackingVS2622AE PDFN

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VS2622AE

VS2622AL20V/8A N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 20 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10 V 11 m N-Channel2.5V Logic Level ControlR DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 12 m Enhancement modeR DS(on),TYP@ VGS=2.5 V 14 m Low on-resistance RDS(on) @ VGS=2.5 VI D 8 A Fast Switching and High efficiencySOT23-3L Pb-free lead plating; RoHS compliantPart ID Package Type

 7.2. Size:964K  cn vgsemi
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VS2622AE

VS2622AA20V/13A N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 20 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 8.2 m N-Channel2.5V Logic Level ControlR DS(on),TYP@ VGS=2.5 V 10 m Enhancement modeI D 13 A Low on-resistance RDS(on) @ VGS=2.5 V Fast SwitchingDFN2x2x0.75-6L Pb-free lead plating; RoHS compliantPart ID Package Type Marking PackingVS2622AA DFN2x2x0.75-6L 2

Otros transistores... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: SH8K26 | SIHFI9Z14G | STD20NF06 | NCEP050N12GU | BUK7207-30B | BUK9840-55

 

 
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