VS2622AE MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: VS2622AE
Código: 2622AE
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 29 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 56 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1 VQgⓘ - Carga de la puerta: 18 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 4.6 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 200 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0067 Ohm
Paquete / Cubierta: PDFN3333
Búsqueda de reemplazo de MOSFET VS2622AE
VS2622AE Datasheet (PDF)
vs2622ae.pdf
VS2622AE 20V/56A N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 20 V Features R DS(on),TYP@ VGS=10V 4.8 m N-Channel2.5V logic level control R DS(on),TYP@ VGS=4.5V 5.6 m Enhancement mode I D 56 A Low on-resistance RDS(on) @ VGS=2.5 V PDFN3333 Fast Switching and High efficiency Pb-free lead plating; RoHS compliant Tape and reel Part ID Package Type Ma
vs2622ae.pdf
VS2622AE20V/56A N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 20 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10V 4.8 m N-Channel2.5V logic level controlR DS(on),TYP@ VGS=4.5V 5.6 m Enhancement modeI D 56 A Low on-resistance RDS(on) @ VGS=2.5 VPDFN3333 Fast Switching and High efficiency Pb-free lead plating; RoHS compliantPart ID Package Type Marking PackingVS2622AE PDFN
vs2622al.pdf
VS2622AL20V/8A N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 20 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10 V 11 m N-Channel2.5V Logic Level ControlR DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 12 m Enhancement modeR DS(on),TYP@ VGS=2.5 V 14 m Low on-resistance RDS(on) @ VGS=2.5 VI D 8 A Fast Switching and High efficiencySOT23-3L Pb-free lead plating; RoHS compliantPart ID Package Type
vs2622aa.pdf
VS2622AA20V/13A N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 20 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 8.2 m N-Channel2.5V Logic Level ControlR DS(on),TYP@ VGS=2.5 V 10 m Enhancement modeI D 13 A Low on-resistance RDS(on) @ VGS=2.5 V Fast SwitchingDFN2x2x0.75-6L Pb-free lead plating; RoHS compliantPart ID Package Type Marking PackingVS2622AA DFN2x2x0.75-6L 2
vs2622ad.pdf
VS2622AD20V/60A N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 20 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 6.5 m Enhancement modeR DS(on),TYP@ VGS=2.5 V 8.5 m Low on-resistance RDS(on) @ VGS=2.5 VI D 60 A Fast Switching and High efficiencyTO-252 100% Avalanche test Pb-free lead plating; RoHS compliantPart ID Package Type Marking PackingVS2622AD TO-252 2622AD 2500pc
Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: DAMIA1100N100 | DAMI660N60 | DAMI560N100 | DAMI500N60 | DAMI450N100 | DAMI360N150 | DAMI330N60 | DAMI320N100 | DAMI300N150 | DAMI280N200 | DAMI220N200 | DAMI220N150 | DAMI160N200 | DAMI160N100 | DAMH75N500H | DAMH560N100