Справочник MOSFET. VS2622AE

 

VS2622AE Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: VS2622AE
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 29 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 56 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 4.6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 200 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0067 Ohm
   Тип корпуса: PDFN3333
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

VS2622AE Datasheet (PDF)

 ..1. Size:693K  cn vanguard
vs2622ae.pdfpdf_icon

VS2622AE

VS2622AE 20V/56A N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 20 V Features R DS(on),TYP@ VGS=10V 4.8 m N-Channel2.5V logic level control R DS(on),TYP@ VGS=4.5V 5.6 m Enhancement mode I D 56 A Low on-resistance RDS(on) @ VGS=2.5 V PDFN3333 Fast Switching and High efficiency Pb-free lead plating; RoHS compliant Tape and reel Part ID Package Type Ma

 ..2. Size:1032K  cn vgsemi
vs2622ae.pdfpdf_icon

VS2622AE

VS2622AE20V/56A N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 20 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10V 4.8 m N-Channel2.5V logic level controlR DS(on),TYP@ VGS=4.5V 5.6 m Enhancement modeI D 56 A Low on-resistance RDS(on) @ VGS=2.5 VPDFN3333 Fast Switching and High efficiency Pb-free lead plating; RoHS compliantPart ID Package Type Marking PackingVS2622AE PDFN

 7.1. Size:1024K  cn vgsemi
vs2622al.pdfpdf_icon

VS2622AE

VS2622AL20V/8A N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 20 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10 V 11 m N-Channel2.5V Logic Level ControlR DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 12 m Enhancement modeR DS(on),TYP@ VGS=2.5 V 14 m Low on-resistance RDS(on) @ VGS=2.5 VI D 8 A Fast Switching and High efficiencySOT23-3L Pb-free lead plating; RoHS compliantPart ID Package Type

 7.2. Size:964K  cn vgsemi
vs2622aa.pdfpdf_icon

VS2622AE

VS2622AA20V/13A N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 20 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 8.2 m N-Channel2.5V Logic Level ControlR DS(on),TYP@ VGS=2.5 V 10 m Enhancement modeI D 13 A Low on-resistance RDS(on) @ VGS=2.5 V Fast SwitchingDFN2x2x0.75-6L Pb-free lead plating; RoHS compliantPart ID Package Type Marking PackingVS2622AA DFN2x2x0.75-6L 2

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: FQP4P25 | FQP55N06 | FQP7N10 | FQPF12P20XDTU | FQP5N20

 

 
Back to Top

 


 
.