VS2N7002K MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: VS2N7002K
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 16 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.76 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 2.8 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 11 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT23
Búsqueda de reemplazo de VS2N7002K MOSFET
VS2N7002K Datasheet (PDF)
vs2n7002k.pdf

VS2N7002K 60V/760mA N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 60 V Features R DS(on),typ@VGS=10V 1 N-Channel R DS(on),typ@VGS=4.5V 1.1 Enhancement Mode I D 0.76 A Fast Switching ESD Protected by HBM up to 2.5KV SOT23 Pb-free lead plating; RoHS compliant Tape and reel Part ID Package Type Marking information VS2N7002K SOT23 72K 3000pcs/reel
Otros transistores... SM4500NHKP , SM4512NHKP , SM6166NHKP , VS150N08BT , VS1606GS , VS2301BC , VS2522AL , VS2622AE , 20N60 , VS3508AE , VS3518AE , VS3522AE , VS3540AC , VS3610AE , VS3618AE , VS3618BE , VS3620GPMC .
History: RU40180R | SML10B75 | 2SK1306 | SI4948BEY-T1-E3 | SE30150A | SM4862EPRL | IRF7343I
History: RU40180R | SML10B75 | 2SK1306 | SI4948BEY-T1-E3 | SE30150A | SM4862EPRL | IRF7343I



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
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