Справочник MOSFET. VS2N7002K

 

VS2N7002K Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: VS2N7002K
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 16 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.76 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 2.8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 11 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3 Ohm
   Тип корпуса: SOT23
 

 Аналог (замена) для VS2N7002K

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VS2N7002K Datasheet (PDF)

 ..1. Size:649K  cn vanguard
 vs2n7002k.pdf pdf_icon

VS2N7002K

VS2N7002K 60V/760mA N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 60 V Features R DS(on),typ@VGS=10V 1 N-Channel R DS(on),typ@VGS=4.5V 1.1 Enhancement Mode I D 0.76 A Fast Switching ESD Protected by HBM up to 2.5KV SOT23 Pb-free lead plating; RoHS compliant Tape and reel Part ID Package Type Marking information VS2N7002K SOT23 72K 3000pcs/reel

Другие MOSFET... SM4500NHKP , SM4512NHKP , SM6166NHKP , VS150N08BT , VS1606GS , VS2301BC , VS2522AL , VS2622AE , IRF840 , VS3508AE , VS3518AE , VS3522AE , VS3540AC , VS3610AE , VS3618AE , VS3618BE , VS3620GPMC .

 

 
Back to Top

 


 
.