VS2N7002K MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: VS2N7002K
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 16 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.76 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 2.8 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 11 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3 Ohm
Тип корпуса: SOT23
VS2N7002K Datasheet (PDF)
vs2n7002k.pdf
VS2N7002K 60V/760mA N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 60 V Features R DS(on),typ@VGS=10V 1 N-Channel R DS(on),typ@VGS=4.5V 1.1 Enhancement Mode I D 0.76 A Fast Switching ESD Protected by HBM up to 2.5KV SOT23 Pb-free lead plating; RoHS compliant Tape and reel Part ID Package Type Marking information VS2N7002K SOT23 72K 3000pcs/reel
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918