VS3522AE Todos los transistores

 

VS3522AE MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: VS3522AE

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 29 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 27 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 140 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.027 Ohm

Encapsulados: PDFN3333

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VS3522AE datasheet

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VS3522AE

VS3522AE -30V/-27A P-Channel Advanced Power MOSFET V DS -30 V Features R DS(on),TYP@ VGS=-10 V 22 m P-Channel -5V Logic Level Control R DS(on),TYP@ VGS=-4.5V 39 m Low on-resistance RDS(on) @ VGS=-4.5 V I D -27 A Fast Switching Enhancement mode PDFN3333 Pb-free lead plating; RoHS compliant Part ID Package Type Marking Tape and reel informat

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