VS3610AE Todos los transistores

 

VS3610AE MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: VS3610AE
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 33 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 64 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 310 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.005 Ohm
   Paquete / Cubierta: PDFN3333
     - Selección de transistores por parámetros

 

VS3610AE Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1009K  cn vanguard
vs3610ae.pdf pdf_icon

VS3610AE

VS3610AE 30V/64A N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 30 V Features R DS(on),TYP@ VGS=10 V 4 m N-Channel5V Logic Level Control R DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 5.7 m Enhancement mode I D 64 A Very low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V Fast Switching PDFN3333 100% Avalanche test Pb-free lead plating; RoHS compliant Tape and reel Part ID Pack

 ..2. Size:983K  cn vgsemi
vs3610ae.pdf pdf_icon

VS3610AE

VS3610AE30V/64A N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 30 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10 V 4 m N-Channel5V Logic Level ControlR DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 5.7 m Enhancement modeI D 64 A Very low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V Fast SwitchingPDFN3333 100% Avalanche test Pb-free lead plating; RoHS compliantPart ID Package Type Marking PackingVS361

 7.1. Size:945K  cn vgsemi
vs3610ad.pdf pdf_icon

VS3610AE

VS3610AD30V/85A N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 30 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10 V 4.3 m N-Channel5V Logic Level ControlR DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 6 m Enhancement modeI D 85 A Very low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V Fast SwitchingTO-252 100% Avalanche test Pb-free lead plating; RoHS compliantPart ID Package Type Marking PackingVS3610A

 7.2. Size:947K  cn vgsemi
vs3610ai.pdf pdf_icon

VS3610AE

VS3610AI30V/85A N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 30 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10 V 4.2 m N-Channel5V Logic Level ControlR DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 6 m Enhancement modeI D 85 A Very low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V Fast Switching and High efficiencyTO-251SL 100% Avalanche test Pb-free lead plating; RoHS compliantPart ID Package Type Ma

Otros transistores... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: FDG6320C | SFF220-28 | 2SK1032A | TSM4N80CZ | SL5N100P | IRFS640B | JFFM13N65D

 

 
Back to Top

 


 
.