VS3610AE MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: VS3610AE
   Código: 3610AE
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 33 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 64 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 38 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 310 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.005 Ohm
   Paquete / Cubierta: PDFN3333

Búsqueda de reemplazo de MOSFET VS3610AE

VS3610AE Datasheet (PDF)

..1. Size:1009K cn vanguard
vs3610ae.pdf

VS3610AE 30V/64A N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 30 V Features R DS(on),TYP@ VGS=10 V 4 m N-Channel5V Logic Level Control R DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 5.7 m Enhancement mode I D 64 A Very low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V Fast Switching PDFN3333 100% Avalanche test Pb-free lead plating; RoHS compliant Tape and reel Part ID Pack

..2. Size:983K cn vgsemi
vs3610ae.pdf

VS3610AE30V/64A N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 30 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10 V 4 m N-Channel5V Logic Level ControlR DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 5.7 m Enhancement modeI D 64 A Very low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V Fast SwitchingPDFN3333 100% Avalanche test Pb-free lead plating; RoHS compliantPart ID Package Type Marking PackingVS361

7.1. Size:945K cn vgsemi
vs3610ad.pdf

VS3610AD30V/85A N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 30 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10 V 4.3 m N-Channel5V Logic Level ControlR DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 6 m Enhancement modeI D 85 A Very low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V Fast SwitchingTO-252 100% Avalanche test Pb-free lead plating; RoHS compliantPart ID Package Type Marking PackingVS3610A

7.2. Size:947K cn vgsemi
vs3610ai.pdf

VS3610AI30V/85A N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 30 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10 V 4.2 m N-Channel5V Logic Level ControlR DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 6 m Enhancement modeI D 85 A Very low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V Fast Switching and High efficiencyTO-251SL 100% Avalanche test Pb-free lead plating; RoHS compliantPart ID Package Type Ma

7.3. Size:1020K cn vgsemi
vs3610ap.pdf

VS3610AP30V/70A N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 30 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10 V 3.7 m N-Channel5V Logic Level ControlR DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 5.4 m Enhancement modeI D 70 A Very low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V Fast SwitchingPDFN5x6 100% Avalanche test Pb-free lead plating; RoHS compliantPart ID Package Type Marking PackingVS36

Otros transistores... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: