VS3610AE Todos los transistores

 

VS3610AE MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: VS3610AE

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 33 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 64 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 310 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.005 Ohm

Encapsulados: PDFN3333

 Búsqueda de reemplazo de VS3610AE MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

VS3610AE datasheet

 ..1. Size:1009K  cn vanguard
 vs3610ae.pdf pdf_icon

VS3610AE

VS3610AE 30V/64A N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 30 V Features R DS(on),TYP@ VGS=10 V 4 m N-Channel 5V Logic Level Control R DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 5.7 m Enhancement mode I D 64 A Very low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V Fast Switching PDFN3333 100% Avalanche test Pb-free lead plating; RoHS compliant Tape and reel Part ID Pack

 ..2. Size:983K  cn vgsemi
 vs3610ae.pdf pdf_icon

VS3610AE

VS3610AE 30V/64A N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 30 V Features R DS(on),TYP@ VGS=10 V 4 m N-Channel 5V Logic Level Control R DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 5.7 m Enhancement mode I D 64 A Very low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V Fast Switching PDFN3333 100% Avalanche test Pb-free lead plating; RoHS compliant Part ID Package Type Marking Packing VS361

 7.1. Size:945K  cn vgsemi
 vs3610ad.pdf pdf_icon

VS3610AE

VS3610AD 30V/85A N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 30 V Features R DS(on),TYP@ VGS=10 V 4.3 m N-Channel 5V Logic Level Control R DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 6 m Enhancement mode I D 85 A Very low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V Fast Switching TO-252 100% Avalanche test Pb-free lead plating; RoHS compliant Part ID Package Type Marking Packing VS3610A

 7.2. Size:947K  cn vgsemi
 vs3610ai.pdf pdf_icon

VS3610AE

VS3610AI 30V/85A N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 30 V Features R DS(on),TYP@ VGS=10 V 4.2 m N-Channel 5V Logic Level Control R DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 6 m Enhancement mode I D 85 A Very low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V Fast Switching and High efficiency TO-251SL 100% Avalanche test Pb-free lead plating; RoHS compliant Part ID Package Type Ma

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... VS2301BC , VS2522AL , VS2622AE , VS2N7002K , VS3508AE , VS3518AE , VS3522AE , VS3540AC , IRFP460 , VS3618AE , VS3618BE , VS3620GPMC , VS3622AE , VS3622DE , VS3640DS , VS40200AT , VS4020AP .

History: WSF3036

 

 

 


History: WSF3036

🌐 : EN  ES  РУ

social

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:

MOSFET: ASU70R600E | ASU65R850E | ASU65R550E | ASU65R350E | ASR65R120EFD | ASR65R046EFD | ASQ65R046EFD | ASM65R280E | ASM60R330E | ASE70R950E | ASD80R750E | ASD70R950E | ASD70R600E | ASD70R380E | ASD65R850E | ASD65R550E

 

 

 

Popular searches

c3998 transistor | 2sa679 | 2sc3181 | 2sb324 | 2sc1904 | 2sc281 | m28s transistor | 2n3640

 

 

↑ Back to Top
.