Справочник MOSFET. VS3610AE

 

VS3610AE MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: VS3610AE
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 33 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 64 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 310 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.005 Ohm
   Тип корпуса: PDFN3333

 Аналог (замена) для VS3610AE

 

 

VS3610AE Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1009K  cn vanguard
 vs3610ae.pdf

VS3610AE VS3610AE

VS3610AE 30V/64A N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 30 V Features R DS(on),TYP@ VGS=10 V 4 m N-Channel5V Logic Level Control R DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 5.7 m Enhancement mode I D 64 A Very low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V Fast Switching PDFN3333 100% Avalanche test Pb-free lead plating; RoHS compliant Tape and reel Part ID Pack

 ..2. Size:983K  cn vgsemi
 vs3610ae.pdf

VS3610AE VS3610AE

VS3610AE30V/64A N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 30 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10 V 4 m N-Channel5V Logic Level ControlR DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 5.7 m Enhancement modeI D 64 A Very low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V Fast SwitchingPDFN3333 100% Avalanche test Pb-free lead plating; RoHS compliantPart ID Package Type Marking PackingVS361

 7.1. Size:945K  cn vgsemi
 vs3610ad.pdf

VS3610AE VS3610AE

VS3610AD30V/85A N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 30 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10 V 4.3 m N-Channel5V Logic Level ControlR DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 6 m Enhancement modeI D 85 A Very low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V Fast SwitchingTO-252 100% Avalanche test Pb-free lead plating; RoHS compliantPart ID Package Type Marking PackingVS3610A

 7.2. Size:947K  cn vgsemi
 vs3610ai.pdf

VS3610AE VS3610AE

VS3610AI30V/85A N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 30 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10 V 4.2 m N-Channel5V Logic Level ControlR DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 6 m Enhancement modeI D 85 A Very low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V Fast Switching and High efficiencyTO-251SL 100% Avalanche test Pb-free lead plating; RoHS compliantPart ID Package Type Ma

 7.3. Size:1020K  cn vgsemi
 vs3610ap.pdf

VS3610AE VS3610AE

VS3610AP30V/70A N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 30 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10 V 3.7 m N-Channel5V Logic Level ControlR DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 5.4 m Enhancement modeI D 70 A Very low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V Fast SwitchingPDFN5x6 100% Avalanche test Pb-free lead plating; RoHS compliantPart ID Package Type Marking PackingVS36

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top