VS40200AT MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: VS40200AT
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 200 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 24 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 550 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.004 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220AB

Búsqueda de reemplazo de MOSFET VS40200AT

VS40200AT Datasheet (PDF)

..1. Size:401K cn vanguard
vs40200at.pdf

VS40200AT 40V/200A N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 40 V Features R DS(on),TYP@ VGS=10V 2.5 m N-Channel5V Logic Level Control R DS(on),TYP@ VGS=4.5V 3.5 m Enhancement mode I D 200 A Very low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5V 100% Avalanche test TO-220AB Pb-free lead plating; RoHS compliant Tape and reel Part ID Package Type Marking

..2. Size:790K cn vgsemi
vs40200at.pdf

VS40200AT40V/120A N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 40 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10 V 3.5 m Enhancement modeR DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 4.3 m Very low on-resistanceI D(Silicon Limited) 226 A Fast Switching and High efficiencyI D(Package Limited) 120 A 100% Avalanche testTO-220ABPart ID Package Type Marking PackingVS40200AT TO-220AB 40200AT 50pcs/Tube

0.1. Size:858K cn vgsemi
vs40200atd.pdf

VS40200ATD40V/120A N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 40 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10 V 3.5 m Enhancement modeR DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 4.3 m Very low on-resistanceI D(Silicon Limited) 226 A Fast Switching and High efficiencyI D(Package Limited) 120 A 100% Avalanche testTO-263Part ID Package Type Marking PackingVS40200ATD TO-263 40200ATD 800pcs/Reel

6.1. Size:1058K cn vgsemi
vs40200ap.pdf

VS40200AP40V/50A N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 40 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10V 3.3 m Enhancement modeR DS(on),TYP@ VGS=4.5V 4.4 m Very low on-resistanceI D(Silicon Limited) 118 A Fast Switching and High efficiencyI D(Package Limited) 50 A 100% Avalanche TestedPDFN5x6Part ID Package Type Marking PackingVS40200AP PDFN5x6 40200AP 3000pcs/Reel

6.2. Size:933K cn vgsemi
vs40200ad.pdf

VS40200AD40V/80A N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 40 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10 V 3.8 m Enhancement modeR DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 4.6 m Very low on-resistanceI D(Silicon Limited) 165 A Fast Switching and High efficiencyI D(Package Limited) 80 A 100% Avalanche TestedTO-252Part ID Package Type Marking PackingVS40200AD TO-252 40200AD 2500pcs/Reel

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: RFG75N05E

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: