Справочник MOSFET. VS40200AT

 

VS40200AT MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: VS40200AT
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 200 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 24 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 550 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.004 Ohm
   Тип корпуса: TO220AB

 Аналог (замена) для VS40200AT

 

 

VS40200AT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:401K  cn vanguard
 vs40200at.pdf

VS40200AT VS40200AT

VS40200AT 40V/200A N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 40 V Features R DS(on),TYP@ VGS=10V 2.5 m N-Channel5V Logic Level Control R DS(on),TYP@ VGS=4.5V 3.5 m Enhancement mode I D 200 A Very low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5V 100% Avalanche test TO-220AB Pb-free lead plating; RoHS compliant Tape and reel Part ID Package Type Marking

 ..2. Size:790K  cn vgsemi
 vs40200at.pdf

VS40200AT VS40200AT

VS40200AT40V/120A N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 40 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10 V 3.5 m Enhancement modeR DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 4.3 m Very low on-resistanceI D(Silicon Limited) 226 A Fast Switching and High efficiencyI D(Package Limited) 120 A 100% Avalanche testTO-220ABPart ID Package Type Marking PackingVS40200AT TO-220AB 40200AT 50pcs/Tube

 0.1. Size:858K  cn vgsemi
 vs40200atd.pdf

VS40200AT VS40200AT

VS40200ATD40V/120A N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 40 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10 V 3.5 m Enhancement modeR DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 4.3 m Very low on-resistanceI D(Silicon Limited) 226 A Fast Switching and High efficiencyI D(Package Limited) 120 A 100% Avalanche testTO-263Part ID Package Type Marking PackingVS40200ATD TO-263 40200ATD 800pcs/Reel

 6.1. Size:1058K  cn vgsemi
 vs40200ap.pdf

VS40200AT VS40200AT

VS40200AP40V/50A N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 40 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10V 3.3 m Enhancement modeR DS(on),TYP@ VGS=4.5V 4.4 m Very low on-resistanceI D(Silicon Limited) 118 A Fast Switching and High efficiencyI D(Package Limited) 50 A 100% Avalanche TestedPDFN5x6Part ID Package Type Marking PackingVS40200AP PDFN5x6 40200AP 3000pcs/Reel

 6.2. Size:933K  cn vgsemi
 vs40200ad.pdf

VS40200AT VS40200AT

VS40200AD40V/80A N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 40 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10 V 3.8 m Enhancement modeR DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 4.6 m Very low on-resistanceI D(Silicon Limited) 165 A Fast Switching and High efficiencyI D(Package Limited) 80 A 100% Avalanche TestedTO-252Part ID Package Type Marking PackingVS40200AD TO-252 40200AD 2500pcs/Reel

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 20N50 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top