VS4518AD Todos los transistores

 

VS4518AD MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: VS4518AD

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 48 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 33 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 7 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 115 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.034 Ohm

Encapsulados: TO252

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VS4518AD datasheet

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VS4518AD

VS4518AD -40V/-33A P-Channel Advanced Power MOSFET V DS -40 V Features R DS(on),TYP@ VGS=-10 V 26 m P-Channel -5V Logic Level Control R DS(on),TYP@ VGS=-4.5V 42 m Fast Switching I D -33 A Enhancement mode 100% Avalanche Tested TO-252 Pb-free lead plating; RoHS compliant Part ID Package Type Marking Tape and reel information VS4518AD TO-2

Otros transistores... VS3622AE , VS3622DE , VS3640DS , VS40200AT , VS4020AP , VS4020AS , VS4080AI , VS4410AT , AON6414A , VS4602AP , VS4604AP , VS4618AE , VS4N65CD , VS5810AS , VS5814DS , VS6016HS-A , VS6018AS .

History: WML340N20HG2 | SWT69N65K2 | WMK25N65EM

 

 

 

 

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