VS4518AD MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: VS4518AD
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 48 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 33 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 7 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 115 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.034 Ohm
Paquete / Cubierta: TO252
Búsqueda de reemplazo de VS4518AD MOSFET
VS4518AD Datasheet (PDF)
vs4518ad.pdf

VS4518AD -40V/-33A P-Channel Advanced Power MOSFET V DS -40 V Features R DS(on),TYP@ VGS=-10 V 26 m P-Channel-5V Logic Level Control R DS(on),TYP@ VGS=-4.5V 42 m Fast Switching I D -33 A Enhancement mode 100% Avalanche Tested TO-252 Pb-free lead plating; RoHS compliant Part ID Package Type Marking Tape and reel information VS4518AD TO-2
Otros transistores... VS3622AE , VS3622DE , VS3640DS , VS40200AT , VS4020AP , VS4020AS , VS4080AI , VS4410AT , IRFB4110 , VS4602AP , VS4604AP , VS4618AE , VS4N65CD , VS5810AS , VS5814DS , VS6016HS-A , VS6018AS .
History: OSG65R460FZF-NB | PDC3903Z | BSC060P03NS3EG | AO4800 | GM2302 | IPB77N06S2-12 | RJL5014DPK
History: OSG65R460FZF-NB | PDC3903Z | BSC060P03NS3EG | AO4800 | GM2302 | IPB77N06S2-12 | RJL5014DPK



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
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