VS4518AD Todos los transistores

 

VS4518AD MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: VS4518AD
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 48 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 33 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 7 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 115 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.034 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 

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VS4518AD Datasheet (PDF)

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VS4518AD

VS4518AD -40V/-33A P-Channel Advanced Power MOSFET V DS -40 V Features R DS(on),TYP@ VGS=-10 V 26 m P-Channel-5V Logic Level Control R DS(on),TYP@ VGS=-4.5V 42 m Fast Switching I D -33 A Enhancement mode 100% Avalanche Tested TO-252 Pb-free lead plating; RoHS compliant Part ID Package Type Marking Tape and reel information VS4518AD TO-2

Otros transistores... VS3622AE , VS3622DE , VS3640DS , VS40200AT , VS4020AP , VS4020AS , VS4080AI , VS4410AT , P55NF06 , VS4602AP , VS4604AP , VS4618AE , VS4N65CD , VS5810AS , VS5814DS , VS6016HS-A , VS6018AS .

History: IAUC120N04S6L008 | R6025FNZ | SQM50N04-5M0 | 2SK3004 | ME9435-G | IAUC70N08S5N074

 

 
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