VS4518AD Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: VS4518AD
Маркировка: 4518AD
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 48 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.4 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 33 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 30 nC
tr ⓘ - Время нарастания: 7 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 115 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.034 Ohm
Тип корпуса: TO252
Аналог (замена) для VS4518AD
VS4518AD Datasheet (PDF)
vs4518ad.pdf

VS4518AD -40V/-33A P-Channel Advanced Power MOSFET V DS -40 V Features R DS(on),TYP@ VGS=-10 V 26 m P-Channel-5V Logic Level Control R DS(on),TYP@ VGS=-4.5V 42 m Fast Switching I D -33 A Enhancement mode 100% Avalanche Tested TO-252 Pb-free lead plating; RoHS compliant Part ID Package Type Marking Tape and reel information VS4518AD TO-2
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
History: TMP80N08A
History: TMP80N08A



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: DHS052N10B | DHS052N10 | DHS051N10P | DHS046N10I | DHS046N10F | DHS046N10E | DHS046N10D | DHS046N10B | DHS046N10 | DHS030N88I | DHS030N88F | DHS030N88E | DHS030N88 | DHS025N88I | DHS025N88F | DHS025N88E
Popular searches
jcs9n50fc datasheet | 2n2147 | 2sc870 | 2sa771 | d667 | a965 transistor | hy3210 | d313 transistor equivalent