VS4N65CD Todos los transistores

 

VS4N65CD MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: VS4N65CD

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 57 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 7 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 45 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.9 Ohm

Encapsulados: TO252

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VS4N65CD datasheet

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VS4N65CD

VS4N65CD 650V/4A N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 650 V Features R DS(on),TYP@ VGS=10 V 2.3 Enhancement mode I D 4 A Low on-resistance RDS(on) @ VGS=10 V TO-252 Fast Switching Pb-free lead plating; RoHS compliant Tape and reel Part ID Package Type Marking information VS4N65CD TO-252 4N65CD 2500pcs/Reel Maximum ratings, at TA =25 C, unle

Otros transistores... VS4020AP , VS4020AS , VS4080AI , VS4410AT , VS4518AD , VS4602AP , VS4604AP , VS4618AE , 8205A , VS5810AS , VS5814DS , VS6016HS-A , VS6018AS , VS6018BS , VS6038AD , VS6412AE , VS6412ASL .

History: 2SK4069-ZK-E1-AY | PJM3401PSA | BSR302N | SMK0825FZ | APM2605C | AP4532GM-HF | CS8N80A8H

 

 

 

 

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