VS4N65CD MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: VS4N65CD
Código: 4N65CD
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 57 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 650 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 4 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 3.8 V
Carga de la puerta (Qg): 15.2 nC
Tiempo de subida (tr): 7 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 45 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 2.9 Ohm
Paquete / Cubierta: TO252
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VS4N65CD Datasheet (PDF)
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VS4N65CD 650V/4A N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 650 V Features R DS(on),TYP@ VGS=10 V 2.3 Enhancement mode I D 4 A Low on-resistance RDS(on) @ VGS=10 V TO-252 Fast Switching Pb-free lead plating; RoHS compliant Tape and reel Part ID Package Type Marking information VS4N65CD TO-252 4N65CD 2500pcs/Reel Maximum ratings, at TA =25C, unle
Otros transistores... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
