VS5810AS MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: VS5810AS
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.1 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 55 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 7 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 155 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.009 Ohm
Paquete / Cubierta: SOP8
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VS5810AS Datasheet (PDF)
vs5810as.pdf
VS5810AS 55V/15A N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 55 V Features R DS(on),TYP@ VGS=10 V 6.8 m N-Channel5V Logic Level Control R DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 9.5 m Enhancement mode I D 15 A Very low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V VitoMOS Technology SOP8 100% Avalanche test Pb-free lead plating; RoHS compliant Tape and reel Part I
vs5814ds.pdf
VS5814DS 55V/9A Dual N-Channel Advanced Power MOSFET Features V DS 55 V R DS(on),TYP@ VGS=10 V 16 m Dual N-Channel5V Logic Level Control R DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 22 m Enhancement mode I D 9 A Low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V VitoMOS Technology SOP8 Fast Switching and High efficiency Pb-free lead plating; RoHS compliant Tape an
vs5814ds.pdf
VS5814DS55V/9A Dual N-Channel Advanced Power MOSFETFeaturesV DS 55 VR DS(on),TYP@ VGS=10 V 16 m Dual N-Channel5V Logic Level ControlR DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 22 m Enhancement modeI D 9 A Low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V VitoMOS TechnologySOP8 Fast Switching and High efficiency Pb-free lead plating; RoHS compliantPart ID Package Type Ma
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Liste
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