VS5810AS Todos los transistores

 

VS5810AS MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: VS5810AS
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 55 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 7 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 155 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.009 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP8
 

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VS5810AS Datasheet (PDF)

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VS5810AS

VS5810AS 55V/15A N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 55 V Features R DS(on),TYP@ VGS=10 V 6.8 m N-Channel5V Logic Level Control R DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 9.5 m Enhancement mode I D 15 A Very low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V VitoMOS Technology SOP8 100% Avalanche test Pb-free lead plating; RoHS compliant Tape and reel Part I

 9.1. Size:745K  cn vanguard
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VS5810AS

VS5814DS 55V/9A Dual N-Channel Advanced Power MOSFET Features V DS 55 V R DS(on),TYP@ VGS=10 V 16 m Dual N-Channel5V Logic Level Control R DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 22 m Enhancement mode I D 9 A Low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V VitoMOS Technology SOP8 Fast Switching and High efficiency Pb-free lead plating; RoHS compliant Tape an

 9.2. Size:1048K  cn vgsemi
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VS5810AS

VS5814DS55V/9A Dual N-Channel Advanced Power MOSFETFeaturesV DS 55 VR DS(on),TYP@ VGS=10 V 16 m Dual N-Channel5V Logic Level ControlR DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 22 m Enhancement modeI D 9 A Low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V VitoMOS TechnologySOP8 Fast Switching and High efficiency Pb-free lead plating; RoHS compliantPart ID Package Type Ma

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History: LP2301BLT1G | UT6402 | IXFN38N100P

 

 
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