VS6018AS MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: VS6018AS
Código: 6018AS
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 3.1 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 60 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 18 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 3 V
Carga de la puerta (Qg): 82 nC
Tiempo de subida (tr): 125 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 295 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.009 Ohm
Paquete / Cubierta: SOP8
Búsqueda de reemplazo de MOSFET VS6018AS
VS6018AS Datasheet (PDF)
vs6018as.pdf
VS6018AS 60V/18A N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 60 V Features R DS(on),TYP@ VGS=10 V 7.0 m N-Channel5V Logic Level Control R DS(on),TYP@ VGS=4.5V 8.0 m Enhancement mode I D 18 A Very low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V Fast Switching SOP8 100% Avalanche test Pb-free lead plating; RoHS compliant Part ID Package Type Marking Ta
vs6018bs.pdf
VS6018BS 65V/17A N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 65 V Features R DS(on),TYP@ VGS=10 V 6.7 m N-Channel5V Logic Level Control R DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 7.9 m Enhancement mode I D 17 A Low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V 100% Avalanche test SOP8 Pb-free lead plating; RoHS compliant Tape and reel Part ID Package Type Marking informati
vs6016hs-a.pdf
VS6016HS-A 60V/12A N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 60 V Features R DS(on),TYP@ VGS=10 V 11 m Enhancement mode R DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 12 m Low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V I D 12 A Fast Switching and High efficiency Pb-free lead plating; RoHS compliant; Halogen free SOP8 Tape and reel Part ID Package Type Marking information VS6016H
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