VS6018BS MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: VS6018BS
Código: 6018BS
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.1 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 65 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 17 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 VQgⓘ - Carga de la puerta: 82 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 6.2 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 260 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.009 Ohm
Paquete / Cubierta: SOP8
Búsqueda de reemplazo de MOSFET VS6018BS
VS6018BS Datasheet (PDF)
vs6018bs.pdf
VS6018BS 65V/17A N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 65 V Features R DS(on),TYP@ VGS=10 V 6.7 m N-Channel5V Logic Level Control R DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 7.9 m Enhancement mode I D 17 A Low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V 100% Avalanche test SOP8 Pb-free lead plating; RoHS compliant Tape and reel Part ID Package Type Marking informati
vs6018as.pdf
VS6018AS 60V/18A N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 60 V Features R DS(on),TYP@ VGS=10 V 7.0 m N-Channel5V Logic Level Control R DS(on),TYP@ VGS=4.5V 8.0 m Enhancement mode I D 18 A Very low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V Fast Switching SOP8 100% Avalanche test Pb-free lead plating; RoHS compliant Part ID Package Type Marking Ta
vs6016hs-a.pdf
VS6016HS-A 60V/12A N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 60 V Features R DS(on),TYP@ VGS=10 V 11 m Enhancement mode R DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 12 m Low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V I D 12 A Fast Switching and High efficiency Pb-free lead plating; RoHS compliant; Halogen free SOP8 Tape and reel Part ID Package Type Marking information VS6016H
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Liste
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