VS6018BS Todos los transistores

 

VS6018BS MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: VS6018BS

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.1 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 65 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 17 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 6.2 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 260 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.009 Ohm

Encapsulados: SOP8

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VS6018BS datasheet

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VS6018BS

VS6018BS 65V/17A N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 65 V Features R DS(on),TYP@ VGS=10 V 6.7 m N-Channel 5V Logic Level Control R DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 7.9 m Enhancement mode I D 17 A Low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V 100% Avalanche test SOP8 Pb-free lead plating; RoHS compliant Tape and reel Part ID Package Type Marking informati

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VS6018BS

VS6018AS 60V/18A N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 60 V Features R DS(on),TYP@ VGS=10 V 7.0 m N-Channel 5V Logic Level Control R DS(on),TYP@ VGS=4.5V 8.0 m Enhancement mode I D 18 A Very low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V Fast Switching SOP8 100% Avalanche test Pb-free lead plating; RoHS compliant Part ID Package Type Marking Ta

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VS6018BS

VS6016HS-A 60V/12A N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 60 V Features R DS(on),TYP@ VGS=10 V 11 m Enhancement mode R DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 12 m Low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V I D 12 A Fast Switching and High efficiency Pb-free lead plating; RoHS compliant; Halogen free SOP8 Tape and reel Part ID Package Type Marking information VS6016H

Otros transistores... VS4602AP , VS4604AP , VS4618AE , VS4N65CD , VS5810AS , VS5814DS , VS6016HS-A , VS6018AS , AON7408 , VS6038AD , VS6412AE , VS6412ASL , VS6614GS , VS6640AC , VS6808DH , VS6880AT , VS7N65AD .

History: NDT4N70 | 30N06G-TN3-R

 

 

 

 

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