VS6614GS MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: VS6614GS
Código: 6614GS
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 3.1 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 60 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 13 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2.5 V
Carga de la puerta (Qg): 13 nC
Tiempo de subida (tr): 15 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 375 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.013 Ohm
Paquete / Cubierta: SOP8
Búsqueda de reemplazo de MOSFET VS6614GS
VS6614GS Datasheet (PDF)
vs6614gs.pdf
VS6614GS 60V/13A N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 60 V Features R DS(on),TYP@ VGS=10 V 10.5 m Enhancement mode R DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 17 m Low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V I D 13 A VitoMOS Technology 100% Avalanche test SOP8 Pb-free lead plating; RoHS compliant Tape and reel Part ID Package Type Marking information VS661
vs6614ds.pdf
VS6614DS65V/10A Dual N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 65 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10 V 12 m Enhancement modeR DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 20 m Low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 VI D 10 A VitoMOS TechnologySOP8 100% Avalanche test Pb-free lead plating; RoHS compliantPart ID Package Type Marking PackingVS6614DS SOP8 6614DS 3000pcs/reelMaxi
vs6614ds-k.pdf
VS6614DS-K65V/8A Dual N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 65 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10V 14 m Enhancement modeR DS(on),TYP@ VGS=4.5V 20 m VitoMOS TechnologyI D(Silicon Limited) 8 A 100% Avalanche Tested,100% Rg TestedSOP8 Optimized Qg, Qgd, and Qgd/Qgs ratio to minimize switching lossesPart ID Package Type Marking PackingVS6614DS-K SOP8 6614D
Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
