VS6614GS Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: VS6614GS
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.1 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 15 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 375 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.013 Ohm
Тип корпуса: SOP8
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
VS6614GS Datasheet (PDF)
vs6614gs.pdf

VS6614GS 60V/13A N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 60 V Features R DS(on),TYP@ VGS=10 V 10.5 m Enhancement mode R DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 17 m Low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V I D 13 A VitoMOS Technology 100% Avalanche test SOP8 Pb-free lead plating; RoHS compliant Tape and reel Part ID Package Type Marking information VS661
vs6614ds.pdf

VS6614DS65V/10A Dual N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 65 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10 V 12 m Enhancement modeR DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 20 m Low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 VI D 10 A VitoMOS TechnologySOP8 100% Avalanche test Pb-free lead plating; RoHS compliantPart ID Package Type Marking PackingVS6614DS SOP8 6614DS 3000pcs/reelMaxi
vs6614ds-k.pdf

VS6614DS-K65V/8A Dual N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 65 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10V 14 m Enhancement modeR DS(on),TYP@ VGS=4.5V 20 m VitoMOS TechnologyI D(Silicon Limited) 8 A 100% Avalanche Tested,100% Rg TestedSOP8 Optimized Qg, Qgd, and Qgd/Qgs ratio to minimize switching lossesPart ID Package Type Marking PackingVS6614DS-K SOP8 6614D
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
History: SI7848BDP | SI7913DN | BRCS2N65QF | MC11N005 | NVMFS5C628N | JCS5N50CT | NCEP026N10F
History: SI7848BDP | SI7913DN | BRCS2N65QF | MC11N005 | NVMFS5C628N | JCS5N50CT | NCEP026N10F



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
2sd357 | 110n8f6 mosfet datasheet | 2sc458 datasheet | irfz48 | bf494 transistor equivalent | 2sc458 pinout | bc183l | tip35 datasheet