VS6808DH Todos los transistores

 

VS6808DH MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: VS6808DH

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 90 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.023 Ohm

Encapsulados: SOT23-6L

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VS6808DH datasheet

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VS6808DH

VS6808DH 20V/6A Common-Drain Dual N-Channel Advanced Power MOSFET Features V DS 20 V R DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 18 m Dual N-Channel 2.5V Logic Level Control R DS(on),TYP@ VGS=2.5 V 25 m Low on-resistance RDS(on) @ VGS=2.5 V I D 6 A Fast Switching ESD Protection HBM 2.5KV SOT23-6L High Effective Pb-free lead plating; RoHS compliant; Haloge

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History: S10H18RP | CS2N70A3R1-G | SI2328DS

 

 

 

 

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