VS6808DH MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: VS6808DH
   Código: VS05
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 1.25 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 20 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 8 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 6 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 1.2 V
   Carga de la puerta (Qg): 8.4 nC
   Tiempo de subida (tr): 8 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 90 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.023 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23-6L

Búsqueda de reemplazo de MOSFET VS6808DH

VS6808DH Datasheet (PDF)

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vs6808dh.pdf

VS6808DH 20V/6A Common-Drain Dual N-Channel Advanced Power MOSFET Features V DS 20 V R DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 18 m Dual N-Channel2.5V Logic Level Control R DS(on),TYP@ VGS=2.5 V 25 m Low on-resistance RDS(on) @ VGS=2.5 V I D 6 A Fast Switching ESD Protection HBM 2.5KV SOT23-6L High Effective Pb-free lead plating; RoHS compliant; Haloge

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Liste

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