VSD050P10MS Todos los transistores

 

VSD050P10MS MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: VSD050P10MS
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 100 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 34 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 22 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 180 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.061 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 

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VSD050P10MS Datasheet (PDF)

 ..1. Size:608K  cn vanguard
 vsd050p10ms.pdf pdf_icon

VSD050P10MS

VSD050P10MS -100V/-34A P-Channel Advanced Power MOSFET V DS -100 V Features R DS(on),TYP@ VGS=-10 V 47 m P-Channel-5V Logic Level Control R DS(on),TYP@ VGS=-4.5V 49 m Low on-resistance RDS(on) @ VGS=-4.5 V I D -34 A Fast Switching and High efficiency Enhancement mode TO-252 100% Avalanche Tested Pb-free lead plating; RoHS compliant

Otros transistores... VS7N65AF , VS8068AD , VS80N08AT , VS8205BH , VSB012N03MS , VSD004N03MS , VSD007N06MS , VSD013N10MS , 5N65 , VSD090N10MS , VSE009NE6MS-G , VSE090N10MS , VSF013N10MS , VSF600N70HS , VSI008N10MS , VSI013N08MS , VSI080N06MS .

History: IPP041N04N | IPD60R3K4CE | IAUS300N08S5N014 | CRTD105N06L | IPP052N06L3 | BSN20BK

 

 
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