VSD050P10MS Todos los transistores

 

VSD050P10MS MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: VSD050P10MS
   Código: 050P10M
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Máxima disipación de potencia (Pd): 100 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 100 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 34 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2.5 V
   Carga de la puerta (Qg): 85 nC
   Tiempo de subida (tr): 22 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 180 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.061 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252

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VSD050P10MS Datasheet (PDF)

 ..1. Size:608K  cn vanguard
vsd050p10ms.pdf

VSD050P10MS VSD050P10MS

VSD050P10MS -100V/-34A P-Channel Advanced Power MOSFET V DS -100 V Features R DS(on),TYP@ VGS=-10 V 47 m P-Channel-5V Logic Level Control R DS(on),TYP@ VGS=-4.5V 49 m Low on-resistance RDS(on) @ VGS=-4.5 V I D -34 A Fast Switching and High efficiency Enhancement mode TO-252 100% Avalanche Tested Pb-free lead plating; RoHS compliant

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