VSD050P10MS Todos los transistores

 

VSD050P10MS MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: VSD050P10MS

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 100 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 34 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 22 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 180 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.061 Ohm

Encapsulados: TO252

 Búsqueda de reemplazo de VSD050P10MS MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

VSD050P10MS datasheet

 ..1. Size:608K  cn vanguard
 vsd050p10ms.pdf pdf_icon

VSD050P10MS

VSD050P10MS -100V/-34A P-Channel Advanced Power MOSFET V DS -100 V Features R DS(on),TYP@ VGS=-10 V 47 m P-Channel -5V Logic Level Control R DS(on),TYP@ VGS=-4.5V 49 m Low on-resistance RDS(on) @ VGS=-4.5 V I D -34 A Fast Switching and High efficiency Enhancement mode TO-252 100% Avalanche Tested Pb-free lead plating; RoHS compliant

Otros transistores... VS7N65AF , VS8068AD , VS80N08AT , VS8205BH , VSB012N03MS , VSD004N03MS , VSD007N06MS , VSD013N10MS , 5N65 , VSD090N10MS , VSE009NE6MS-G , VSE090N10MS , VSF013N10MS , VSF600N70HS , VSI008N10MS , VSI013N08MS , VSI080N06MS .

History: 2SK2315 | SPC4N65G | 2SK2272-01R

 

 

 

 

↑ Back to Top
.