VSO025C03MC MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: VSO025C03MC
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: NP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 75 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.019 Ohm
Paquete / Cubierta: SOP8
Búsqueda de reemplazo de VSO025C03MC MOSFET
VSO025C03MC Datasheet (PDF)
vso025c03mc.pdf

VSO025C03MC 30V N+P Channel Advanced Power MOSFET V DS 30 -30 V Features R DS(on),TYP@ VGS=10 V 15 23 m N+P Channel R DS(on),TYP@ VGS=4.5V 23 38 m Enhancement mode I D 10 -8 A Low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V SOP8 Fast Switching Pb-free lead plating; RoHS compliant Tape and reel Part ID Package Type Marking information VSO02
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History: MMBF0201NLT1G | TK20N60W | 2N65KG-TND-R
History: MMBF0201NLT1G | TK20N60W | 2N65KG-TND-R



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
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