VSO025C03MC MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: VSO025C03MC
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: NP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 75 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.019 Ohm
Encapsulados: SOP8
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VSO025C03MC datasheet
vso025c03mc.pdf
VSO025C03MC 30V N+P Channel Advanced Power MOSFET V DS 30 -30 V Features R DS(on),TYP@ VGS= 10 V 15 23 m N+P Channel R DS(on),TYP@ VGS= 4.5V 23 38 m Enhancement mode I D 10 -8 A Low on-resistance RDS(on) @ VGS= 4.5 V SOP8 Fast Switching Pb-free lead plating; RoHS compliant Tape and reel Part ID Package Type Marking information VSO02
Otros transistores... VSI008N10MS , VSI013N08MS , VSI080N06MS , VSO008N10MS , VSO009N06MS-G , VSO009N06MS-GA , VSO011N06MS , VSO012N06MS , IRFP250 , VSP007N07MS , VSP007P06MS , VSP008N10MSC , VSP020P06MS , VST007N07MS , VST012N06MS , VST018N10MS , 2SK2897-01 .
History: IPI076N15N5 | P0260EI
History: IPI076N15N5 | P0260EI
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Liste
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