VSO025C03MC - аналоги и даташиты транзистора

 

VSO025C03MC - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: VSO025C03MC
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 75 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.019 Ohm
   Тип корпуса: SOP8
 

 Аналог (замена) для VSO025C03MC

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VSO025C03MC Datasheet (PDF)

 ..1. Size:691K  cn vanguard
 vso025c03mc.pdf pdf_icon

VSO025C03MC

VSO025C03MC 30V N+P Channel Advanced Power MOSFET V DS 30 -30 V Features R DS(on),TYP@ VGS=10 V 15 23 m N+P Channel R DS(on),TYP@ VGS=4.5V 23 38 m Enhancement mode I D 10 -8 A Low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V SOP8 Fast Switching Pb-free lead plating; RoHS compliant Tape and reel Part ID Package Type Marking information VSO02

Другие MOSFET... VSI008N10MS , VSI013N08MS , VSI080N06MS , VSO008N10MS , VSO009N06MS-G , VSO009N06MS-GA , VSO011N06MS , VSO012N06MS , STF13NM60N , VSP007N07MS , VSP007P06MS , VSP008N10MSC , VSP020P06MS , VST007N07MS , VST012N06MS , VST018N10MS , 2SK2897-01 .

History: IPB60R600C6 | FQI6N50TU | WMK30N65EM | BL5N135-W | BSS806NE | AFP3403 | IPZ60R060C7

 

 
Back to Top

 


 
.