VST018N10MS Todos los transistores

 

VST018N10MS MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: VST018N10MS

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 60 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 195 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.018 Ohm

Encapsulados: TO220AB

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VST018N10MS datasheet

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VST018N10MS

VST018N10MS 100V/60A N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 100 V Features R DS(on),TYP@ VGS=10V 14 m N-Channel 5V Logic Level Control R DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 15 m Enhancement mode I D 60 A Very low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V Fast Switching TO-220AB 100% Avalanche Tested Pb-free lead plating; RoHS compliant Tape and reel Part ID Pac

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VST018N10MS

VST012N06MS 60V/55A N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 60 V Features R DS(on),TYP@ VGS=10 V 8.4 m N-Channel 5V Logic Level Control R DS(on),TYP@ VGS=4.5V 9.8 m Enhancement mode I D 55 A Very low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V Fast Switching TO-220AB 100% Avalanche Tested Pb-free lead plating; RoHS compliant Tape and reel Part ID Pac

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History: AOW296 | 2SK1566 | IXFE39N90 | LSB60R280HT | H10N60E

 

 

 

 

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