VST018N10MS MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: VST018N10MS
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
trⓘ - Время нарастания: 18 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 195 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.018 Ohm
Тип корпуса: TO220AB
Аналог (замена) для VST018N10MS
VST018N10MS Datasheet (PDF)
vst018n10ms.pdf
VST018N10MS 100V/60A N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 100 VFeatures R DS(on),TYP@ VGS=10V 14 m N-Channel5V Logic Level Control R DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 15 m Enhancement mode I D 60 A Very low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V Fast Switching TO-220AB 100% Avalanche Tested Pb-free lead plating; RoHS compliant Tape and reel Part ID Pac
vst012n06ms.pdf
VST012N06MS 60V/55A N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 60 VFeatures R DS(on),TYP@ VGS=10 V 8.4 m N-Channel5V Logic Level Control R DS(on),TYP@ VGS=4.5V 9.8 m Enhancement mode I D 55 A Very low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V Fast Switching TO-220AB 100% Avalanche Tested Pb-free lead plating; RoHS compliant Tape and reel Part ID Pac
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918