SM32314D1RL Todos los transistores

 

SM32314D1RL MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SM32314D1RL
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 32 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 3 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 150 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0123 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN5X6
 
   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

SM32314D1RL Datasheet (PDF)

 ..1. Size:728K  cn sps
 sm32314d1rl.pdf pdf_icon

SM32314D1RL

SM32314D1RL30V /32A Single N Power MOSFET D N03D N 30V /32A Single N Power MOSFET 32N03DGeneral Description 30 VV DS30V /32A Single N Power MOSFET 8.6 mRDS(on),TYP@VGS=10VVery low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V 13.5 mRDS(on),TYP@VGS=4.5Pb-free lead plating; RoHS compliant 32 AIDTape and reelPart ID Package Type Markinginfomation100% UIS Tested100% Rg Tested

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