SM32314D1RL MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SM32314D1RL
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 32 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 3 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 150 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0123 Ohm
Тип корпуса: DFN5X6
Аналог (замена) для SM32314D1RL
SM32314D1RL Datasheet (PDF)
sm32314d1rl.pdf
SM32314D1RL30V /32A Single N Power MOSFET D N03D N 30V /32A Single N Power MOSFET 32N03DGeneral Description 30 VV DS30V /32A Single N Power MOSFET 8.6 mRDS(on),TYP@VGS=10VVery low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V 13.5 mRDS(on),TYP@VGS=4.5Pb-free lead plating; RoHS compliant 32 AIDTape and reelPart ID Package Type Markinginfomation100% UIS Tested100% Rg Tested
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 20N50 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
History: 10N70G-TF3-T | IXFV20N80P | 2SJ595
History: 10N70G-TF3-T | IXFV20N80P | 2SJ595
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918