SM32314D1RL - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: SM32314D1RL
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 32 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 3 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 150 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0123 Ohm
Тип корпуса: DFN5X6
Аналог (замена) для SM32314D1RL
SM32314D1RL Datasheet (PDF)
sm32314d1rl.pdf
SM32314D1RL30V /32A Single N Power MOSFET D N03D N 30V /32A Single N Power MOSFET 32N03DGeneral Description 30 VV DS30V /32A Single N Power MOSFET 8.6 mRDS(on),TYP@VGS=10VVery low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V 13.5 mRDS(on),TYP@VGS=4.5Pb-free lead plating; RoHS compliant 32 AIDTape and reelPart ID Package Type Markinginfomation100% UIS Tested100% Rg Tested
Другие MOSFET... SM180R65CT8TL , SM2301 , SM2302 , SM2305 , SM2306 , SM2312SRL , SM2314 , SM3012T9RL , IRF1404 , SM3400 , SM3401 , SM3402SRL , SM3404SRL , SM3407 , SM3415 , SM3416 , SM360R65CT2TL .
History: WMN15N65F2
History: WMN15N65F2
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: SLI40N26C | SLB40N26C | RM150N100HD | HYG043N10NS2B | HYG043N10NS2P | HCA60R070F | FTP16N06A | AGM615MNA | AGM615MN | AGM615D | AGM614MNA | AGM614MN | AGM614MBP-M1 | AGM614MBP | AGM614D | AGM614A-G
Popular searches
2sc1313 | 2sb560 replacement | 2sd330 replacement | a1273 transistor | 2sc1384 equivalent | 2sd786 | a940 transistor | 2sc1815 replacement


