SM4012T9RL MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SM4012T9RL
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: NP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 25 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 30 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 2.2 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 76 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.025 Ohm
Paquete / Cubierta: TO252-4
Búsqueda de reemplazo de SM4012T9RL MOSFET
SM4012T9RL Datasheet (PDF)
sm4012t9rl.pdf

SM4012T9RL30V /36A Single N Power MOSFET N-Ch and P-Ch Fast Switching MOSFETs 100% EAS Guaranteed Product Summary Green Device Available Super Low Gate Charge Excellent CdV/dt effect decline BVDSS RDSON ID Advanced high cell density Trench 40V 19m 30A technology -40V 34m -20A Description TO252 Pin Configuration The 4012 is the high performanc
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History: PMPB10XNEA | IXTH88N15 | SSM3K315T | AP4024EH | SM3307PSQG | 2SK1696 | TJ8S06M3L
History: PMPB10XNEA | IXTH88N15 | SSM3K315T | AP4024EH | SM3307PSQG | 2SK1696 | TJ8S06M3L



Liste
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MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
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