SM4012T9RL MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SM4012T9RL
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: NP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 25 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 30 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 VQgⓘ - Carga de la puerta: 5.5 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 2.2 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 76 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.025 Ohm
Paquete / Cubierta: TO252-4
Búsqueda de reemplazo de MOSFET SM4012T9RL
SM4012T9RL Datasheet (PDF)
sm4012t9rl.pdf
SM4012T9RL30V /36A Single N Power MOSFET N-Ch and P-Ch Fast Switching MOSFETs 100% EAS Guaranteed Product Summary Green Device Available Super Low Gate Charge Excellent CdV/dt effect decline BVDSS RDSON ID Advanced high cell density Trench 40V 19m 30A technology -40V 34m -20A Description TO252 Pin Configuration The 4012 is the high performanc
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Liste
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