SM4012T9RL Todos los transistores

 

SM4012T9RL MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SM4012T9RL
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 30 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 2.2 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 76 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.025 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252-4
 

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SM4012T9RL Datasheet (PDF)

 ..1. Size:705K  cn sps
 sm4012t9rl.pdf pdf_icon

SM4012T9RL

SM4012T9RL30V /36A Single N Power MOSFET N-Ch and P-Ch Fast Switching MOSFETs 100% EAS Guaranteed Product Summary Green Device Available Super Low Gate Charge Excellent CdV/dt effect decline BVDSS RDSON ID Advanced high cell density Trench 40V 19m 30A technology -40V 34m -20A Description TO252 Pin Configuration The 4012 is the high performanc

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History: IPP04N03LBG | NCE65T1K2I | FQT1N60CTFWS | SWB030R04VT | YJQ35N04A | BUK663R7-75C | DMP32D4SFB

 

 
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