SM4410 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SM4410

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 8.4 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 159.6 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.015 Ohm

Encapsulados: SOP8

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SM4410 datasheet

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SM4410

SM4410 N-Channel Enhancement-Mode MOSFET (30V,10A) PRODUCT SUMMARY VDSS ID RDS(on) (m-ohm) Max 15 @ VGS = 10V ,ID=10A 30V 10A 24 @ VGS = 4.5V,ID=5A Features 1 Advanced Trench Process Technology. 2 High Density Cell Design for Ultra Low On-Resistance. 3 Lead free product is acquired . 4 Surface mount Package 5 RoHS Compliant. Ordering

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SM4410

SSM4410M N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET Low on-resistance BV 30V DSS D D Fast switching D RDS(ON) 13.5m D Simple drive requirement I 10A D G S S SO-8 S Description D Power MOSFETs from Silicon Standard provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. G S The SO-8 package is wid

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