SM4410 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SM4410

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 8.4 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 159.6 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.015 Ohm

Тип корпуса: SOP8

Аналог (замена) для SM4410

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SM4410 даташит

 ..1. Size:3801K  cn sps
 sm4410.pdf pdf_icon

SM4410

SM4410 N-Channel Enhancement-Mode MOSFET (30V,10A) PRODUCT SUMMARY VDSS ID RDS(on) (m-ohm) Max 15 @ VGS = 10V ,ID=10A 30V 10A 24 @ VGS = 4.5V,ID=5A Features 1 Advanced Trench Process Technology. 2 High Density Cell Design for Ultra Low On-Resistance. 3 Lead free product is acquired . 4 Surface mount Package 5 RoHS Compliant. Ordering

 0.1. Size:121K  taiwansemi
 tsm4410cs.pdf pdf_icon

SM4410

 0.2. Size:122K  taiwansemi
 tsm4410dcs.pdf pdf_icon

SM4410

 0.3. Size:135K  silicon standard
 ssm4410m.pdf pdf_icon

SM4410

SSM4410M N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET Low on-resistance BV 30V DSS D D Fast switching D RDS(ON) 13.5m D Simple drive requirement I 10A D G S S SO-8 S Description D Power MOSFETs from Silicon Standard provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. G S The SO-8 package is wid

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SM418T9RL, SM420R50CT9RL, SM420R65CT2TL, SM420R65CT1TL, SM4286T9RL, SM4306PRL, SM4404BPRL, SM4405PRL, IRF4905, SM4411, SM4421, SM4435, SM4441, SM4447A, SM4480, SM4485, SM4496PRL