SM4485 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SM4485

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.1 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 15.2 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 260 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.02 Ohm

Encapsulados: SOP8

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SM4485 datasheet

 ..1. Size:57903K  cn sps
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SM4485

SM4485 -40V P - Channel MOSFET Description -40V /-10A Power MOSFET Very low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V Pb-free lead plating; RoHS compliant -40 V V DS 14.0 m RDS(on),TYP@VGS=10V 22.0 m RDS(on),TYP@VGS=4.5 -10 A ID Ordering Information Ordering Number Pin Assignment Package Packing 1 2 3 4 5 6 7 Lead Free Halogen Free 8 SM4485PR G SM4485PR L S

 9.1. Size:929K  globaltech semi
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SM4485

GSM4486 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM4486, N-Channel enhancement mode 20V/9A,RDS(ON)=14m @VGS=4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 20V/7A,RDS(ON)=17m @VGS=2.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. 20V/5A,RDS(ON)=21m @VGS=1.8V Super high density cell design for extremely These devices are particularly

 9.2. Size:62263K  cn sps
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SM4485

SM4480 40V N - Channel MOSFET Description 40V /10A Power MOSFET Very low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V Pb-free lead plating; RoHS compliant 40 V V DS 8.8 m RDS(on),TYP@VGS=10V 13.8 m RDS(on),TYP@VGS=4.5 10 A ID Ordering Information Ordering Number Pin Assignment Package Packing 1 2 3 4 5 6 7 Lead Free Halogen Free 8 SM4480PR G SM4480PR L SOP-8 S

Otros transistores... SM4405PRL, SM4410, SM4411, SM4421, SM4435, SM4441, SM4447A, SM4480, SKD502T, SM4496PRL, SM454AT9RL, SM4606, SM4614BPRL, SM4616PRL, SM4620PRL, SM4627PRL, SM4800