SM4485 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SM4485
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 15.2 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 260 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.02 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SM4485

SM4485 Datasheet (PDF)

..1. Size:57903K cn sps
sm4485.pdf

SM4485-40V P - Channel MOSFET Description -40V /-10A Power MOSFETVery low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 VPb-free lead plating; RoHS compliant-40 VV DS14.0 mRDS(on),TYP@VGS=10V22.0 mRDS(on),TYP@VGS=4.5-10 AID Ordering Information Ordering Number Pin AssignmentPackage Packing1 2 3 4 5 6 7Lead Free Halogen Free 8SM4485PR GSM4485PR L S

9.1. Size:929K globaltech semi
gsm4486.pdf

GSM4486 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM4486, N-Channel enhancement mode 20V/9A,RDS(ON)=14m@VGS=4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 20V/7A,RDS(ON)=17m@VGS=2.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. 20V/5A,RDS(ON)=21m@VGS=1.8V Super high density cell design for extremely These devices are particularly

9.2. Size:62263K cn sps
sm4480.pdf

SM448040V N - Channel MOSFET Description 40V /10A Power MOSFETVery low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 VPb-free lead plating; RoHS compliant40 VV DS8.8 mRDS(on),TYP@VGS=10V13.8 mRDS(on),TYP@VGS=4.510 AID Ordering Information Ordering Number Pin AssignmentPackage Packing1 2 3 4 5 6 7Lead Free Halogen Free 8SM4480PR GSM4480PR L SOP-8 S

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Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: