SM4496PRL MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SM4496PRL
   Código: 4496
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 3.1 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 30 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 10 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2.5 V
   Carga de la puerta (Qg): 4.6 nC
   Tiempo de subida (tr): 8.8 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 110 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.026 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP8

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SM4496PRL Datasheet (PDF)

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sm4496prl.pdf

SM4496PRL30V /10A Single N Power MOSFET C N03C N 30V /10A Single N Power MOSFET 10N03CGeneral Description 30 VV DS30V /10A Single N Power MOSFET 18.2 mRDS(on),TYP@VGS=10VVery low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V 28.6 mRDS(on),TYP@VGS=4.5Pb-free lead plating; RoHS compliant 10 AIDTape and reelPart ID Package Type Markinginfomation100% UIS Tested100% Rg Tested

Otros transistores... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF540N , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

Liste

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