SM4496PRL. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SM4496PRL

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 8.8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 110 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.026 Ohm

Тип корпуса: SOP8

Аналог (замена) для SM4496PRL

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SM4496PRL даташит

 ..1. Size:860K  cn sps
sm4496prl.pdfpdf_icon

SM4496PRL

SM4496PRL 30V /10A Single N Power MOSFET C N03C N 30V /10A Single N Power MOSFET 10N03C General Description 30 V V DS 30V /10A Single N Power MOSFET 18.2 m RDS(on),TYP@VGS=10V Very low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V 28.6 m RDS(on),TYP@VGS=4.5 Pb-free lead plating; RoHS compliant 10 A ID Tape and reel Part ID Package Type Marking infomation 100% UIS Tested 100% Rg Tested

Другие IGBT... SM4410, SM4411, SM4421, SM4435, SM4441, SM4447A, SM4480, SM4485, K4145, SM454AT9RL, SM4606, SM4614BPRL, SM4616PRL, SM4620PRL, SM4627PRL, SM4800, SM4803APRL