SM4812PRL Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SM4812PRL

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 3.4 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 45 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.042 Ohm

Encapsulados: SOP8

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SM4812PRL datasheet

 ..1. Size:769K  cn sps
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SM4812PRL

SM4812PRL 30V /6A Dual 2N Power MOSFET C B03C B 30V /6A Dual 2N Power MOSFET 6B03C General Description 30 V V DS 30V /6A Dual 2N Power MOSFET 29.4 m RDS(on),TYP@VGS=10V Very low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V 46.2 m RDS(on),TYP@VGS=4.5 Pb-free lead plating; RoHS compliant 6 A ID Tape and reel Part ID Package Type Marking infomation 100% UIS Tested 100% Rg Tested SM4812PR

 9.1. Size:372K  silicon standard
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SM4812PRL

SSM4816SM DUAL N-CHANNEL MOSFET WITH SCHOTTKY DIODE S1/D2 Simple drive requirement MOSFET-1 BVDSS 30V S1/D2 S1/D2 Suitable for DC-DC Converters R 22m DS(ON) D1 Fast switching performance ID 6.7A G2 MOSFET-2 BV 30V S2/A DSS S2/A SO-8 R 13m G1 DS(ON) Description ID 11.5A Advanced Power MOSFETs from Silicon Standard provide D1 the designer with the best combination of fa

 9.2. Size:37374K  cn sps
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SM4812PRL

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