SM4812PRL MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SM4812PRL
Código: 4812
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 2 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 30 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 6 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2.4 V
Carga de la puerta (Qg): 2.55 nC
Tiempo de subida (tr): 3.4 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 45 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.042 Ohm
Paquete / Cubierta: SOP8
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SM4812PRL Datasheet (PDF)
sm4812prl.pdf
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ssm4816sm.pdf
SSM4816SMDUAL N-CHANNEL MOSFET WITH SCHOTTKY DIODES1/D2Simple drive requirement MOSFET-1 BVDSS 30VS1/D2S1/D2Suitable for DC-DC Converters R 22mDS(ON)D1Fast switching performance ID 6.7AG2MOSFET-2 BV 30VS2/ADSSS2/ASO-8R 13mG1DS(ON)Description ID 11.5AAdvanced Power MOSFETs from Silicon Standard provide D1the designer with the best combination of fa
sm4818.pdf
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