SM4862EPRL Todos los transistores

 

SM4862EPRL MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SM4862EPRL
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.7 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 2.2 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 35 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.065 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP8
 

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SM4862EPRL Datasheet (PDF)

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SM4862EPRL

SM4862EPRL30V /4.5A Dual 2N Power MOSFET C G03C G 30V /4.5A Dual 2N Power MOSFET 5G03CGeneral Description 30 VV DS30V /4.5A Dual 2N Power MOSFET 45.5 mRDS(on),TYP@VGS=10VVery low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V 71.5 mRDS(on),TYP@VGS=4.5Pb-free lead plating; RoHS compliant 4.5 AIDTape and reel Part ID Package Type Markinginfomation100% UIS Tested100% Rg Tested

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History: NCE2323 | 4N65L-TM3-T | CJPF05N60

 

 
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