SM4862EPRL Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: SM4862EPRL
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.7 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 2.2 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 35 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.065 Ohm
Тип корпуса: SOP8
Аналог (замена) для SM4862EPRL
SM4862EPRL Datasheet (PDF)
sm4862eprl.pdf

SM4862EPRL30V /4.5A Dual 2N Power MOSFET C G03C G 30V /4.5A Dual 2N Power MOSFET 5G03CGeneral Description 30 VV DS30V /4.5A Dual 2N Power MOSFET 45.5 mRDS(on),TYP@VGS=10VVery low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V 71.5 mRDS(on),TYP@VGS=4.5Pb-free lead plating; RoHS compliant 4.5 AIDTape and reel Part ID Package Type Markinginfomation100% UIS Tested100% Rg Tested
Другие MOSFET... SM4805PRL , SM4807PRL , SM480T9RL , SM4812PRL , SM4818 , SM4828APRL , SM4840PRL , SM4842PRL , 10N65 , SM4953 , SM514T9RL , SM600R65CT9RL , SM600R65CT2TL , SM600R65CT1TL , SM6204D1RL , SM6358D1RL , SM6362D1RL .
History: 2N7000CSM | SI7868ADP | CPH6311 | KQB2N50 | NDBA100N10B | SM3419NHQA | RS1G180MN
History: 2N7000CSM | SI7868ADP | CPH6311 | KQB2N50 | NDBA100N10B | SM3419NHQA | RS1G180MN



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSH0805PK | JMSH0805PG | JMSH0805PE | JMSH0805PC | JMSH0804NK | JMSH0804NG | JMSH0804NE | JMSH0804NC | JMSH0803PC | JMSH0803NGS | JMSH0803MTL | JMSH0803MG | JMSH0803ME | JMSH0803MC | JMSH0803AGS | JBE084M
Popular searches
k3561 transistor | c3203 transistor | irfp450 equivalent | 2sb649 | 2sb324 transistor | b754 transistor | 2sc828 equivalent | 4843ns