SM514T9RL Todos los transistores

 

SM514T9RL MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SM514T9RL
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 46 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 5.88 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 483 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0059 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 

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SM514T9RL Datasheet (PDF)

 ..1. Size:670K  cn sps
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SM514T9RL

SM514T9RL30V /46A Single N Power MOSFET H N03H N 30V /46A Single N Power MOSFET 46N03HGeneral Description 30 VV DS30V /46A Single N Power MOSFET 4.1 mRDS(on),TYP@VGS=10VVery low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V 8.3 mRDS(on),TYP@VGS=4.5Pb-free lead plating; RoHS compliant 46 AIDTape and reelPart ID Package Type Markinginfomation100% UIS Tested100% Rg TestedSM

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History: HGP028NE6AL | CHT2302GP | NTMFD4C20N | 2SK241 | SRC65R1K3ES | 2SK947 | RHU003N03

 

 
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