SM514T9RL datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SM514T9RL

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 46 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 5.88 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 483 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0059 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для SM514T9RL

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SM514T9RL даташит

 ..1. Size:670K  cn sps
 sm514t9rl.pdf pdf_icon

SM514T9RL

SM514T9RL 30V /46A Single N Power MOSFET H N03H N 30V /46A Single N Power MOSFET 46N03H General Description 30 V V DS 30V /46A Single N Power MOSFET 4.1 m RDS(on),TYP@VGS=10V Very low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V 8.3 m RDS(on),TYP@VGS=4.5 Pb-free lead plating; RoHS compliant 46 A ID Tape and reel Part ID Package Type Marking infomation 100% UIS Tested 100% Rg Tested SM

Другие IGBT... SM480T9RL, SM4812PRL, SM4818, SM4828APRL, SM4840PRL, SM4842PRL, SM4862EPRL, SM4953, IRF1407, SM600R65CT9RL, SM600R65CT2TL, SM600R65CT1TL, SM6204D1RL, SM6358D1RL, SM6362D1RL, SM6366ED1RL, SM6426D1RL