Справочник MOSFET. SM514T9RL

 

SM514T9RL Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SM514T9RL
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 46 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 5.88 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 483 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0059 Ohm
   Тип корпуса: TO252
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SM514T9RL Datasheet (PDF)

 ..1. Size:670K  cn sps
 sm514t9rl.pdf pdf_icon

SM514T9RL

SM514T9RL30V /46A Single N Power MOSFET H N03H N 30V /46A Single N Power MOSFET 46N03HGeneral Description 30 VV DS30V /46A Single N Power MOSFET 4.1 mRDS(on),TYP@VGS=10VVery low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V 8.3 mRDS(on),TYP@VGS=4.5Pb-free lead plating; RoHS compliant 46 AIDTape and reelPart ID Package Type Markinginfomation100% UIS Tested100% Rg TestedSM

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFZ44 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

History: IRF5Y9540CM | FCH104N60F | IAUC100N10S5N040 | STU601S | HM4805A | AP2320GN-HF | AP9938GEO

 

 
Back to Top

 


 
.