SM6358D1RL MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SM6358D1RL
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 48 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 85 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 6.8 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1000 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0036 Ohm
Paquete / Cubierta: DFN5X6
Búsqueda de reemplazo de SM6358D1RL MOSFET
SM6358D1RL Datasheet (PDF)
sm6358d1rl.pdf

SM6358D1RL30V /85A Single N Power MOSFET D N03D N 30V /85A Single N Power MOSFET 85N03DGeneral Description 30 VV DS30V /85A Single N Power MOSFET 2.5 mRDS(on),TYP@VGS=10VVery low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V 4.0 mRDS(on),TYP@VGS=4.5Pb-free lead plating; RoHS compliant 85 AIDTape and reelPart ID Package Type Markinginfomation100% UIS Tested100% Rg TestedS
Otros transistores... SM4842PRL , SM4862EPRL , SM4953 , SM514T9RL , SM600R65CT9RL , SM600R65CT2TL , SM600R65CT1TL , SM6204D1RL , IRFZ46N , SM6362D1RL , SM6366ED1RL , SM6426D1RL , SM6442D1RL , SM6512D1RL , SM6536D1RL , SM6590D1RL , SM66406D1RL .
History: IXFH80N085 | PTF8N65 | BRCS120N03DP | PZ5203QV | HTD2K1P10 | 2SK4212-ZK | FKP253
History: IXFH80N085 | PTF8N65 | BRCS120N03DP | PZ5203QV | HTD2K1P10 | 2SK4212-ZK | FKP253



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
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