SM6358D1RL datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SM6358D1RL

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 48 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 85 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 6.8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1000 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0036 Ohm

Тип корпуса: DFN5X6

Аналог (замена) для SM6358D1RL

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SM6358D1RL даташит

 ..1. Size:781K  cn sps
 sm6358d1rl.pdf pdf_icon

SM6358D1RL

SM6358D1RL 30V /85A Single N Power MOSFET D N03D N 30V /85A Single N Power MOSFET 85N03D General Description 30 V V DS 30V /85A Single N Power MOSFET 2.5 m RDS(on),TYP@VGS=10V Very low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V 4.0 m RDS(on),TYP@VGS=4.5 Pb-free lead plating; RoHS compliant 85 A ID Tape and reel Part ID Package Type Marking infomation 100% UIS Tested 100% Rg Tested S

Другие IGBT... SM4842PRL, SM4862EPRL, SM4953, SM514T9RL, SM600R65CT9RL, SM600R65CT2TL, SM600R65CT1TL, SM6204D1RL, SI2302, SM6362D1RL, SM6366ED1RL, SM6426D1RL, SM6442D1RL, SM6512D1RL, SM6536D1RL, SM6590D1RL, SM66406D1RL