SM6358D1RL Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: SM6358D1RL
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 48 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 85 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 6.8 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 1000 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0036 Ohm
Тип корпуса: DFN5X6
Аналог (замена) для SM6358D1RL
SM6358D1RL Datasheet (PDF)
sm6358d1rl.pdf

SM6358D1RL30V /85A Single N Power MOSFET D N03D N 30V /85A Single N Power MOSFET 85N03DGeneral Description 30 VV DS30V /85A Single N Power MOSFET 2.5 mRDS(on),TYP@VGS=10VVery low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V 4.0 mRDS(on),TYP@VGS=4.5Pb-free lead plating; RoHS compliant 85 AIDTape and reelPart ID Package Type Markinginfomation100% UIS Tested100% Rg TestedS
Другие MOSFET... SM4842PRL , SM4862EPRL , SM4953 , SM514T9RL , SM600R65CT9RL , SM600R65CT2TL , SM600R65CT1TL , SM6204D1RL , IRFZ46N , SM6362D1RL , SM6366ED1RL , SM6426D1RL , SM6442D1RL , SM6512D1RL , SM6536D1RL , SM6590D1RL , SM66406D1RL .
History: AP75T10GP | PM516BZ | P5015BD
History: AP75T10GP | PM516BZ | P5015BD



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSH0805PK | JMSH0805PG | JMSH0805PE | JMSH0805PC | JMSH0804NK | JMSH0804NG | JMSH0804NE | JMSH0804NC | JMSH0803PC | JMSH0803NGS | JMSH0803MTL | JMSH0803MG | JMSH0803ME | JMSH0803MC | JMSH0803AGS | JBE084M
Popular searches
4843ns | 2sc1318 datasheet | 2sc3281 datasheet | 2sa1106 | 2sb56 | 2sc1451 datasheet | 2sc373 | a1023 datasheet