SM6362D1RL MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SM6362D1RL
   Código: 6362
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 31 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 60 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.2 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 6.1 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 4.4 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 340 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0086 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN5X6

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SM6362D1RL

SM6362D1RL Datasheet (PDF)

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sm6362d1rl.pdf

SM6362D1RL30V /60A Single N Power MOSFET D N03D N 30V /60A Single N Power MOSFET 60N03DGeneral Description 30 VV DS30V /60A Single N Power MOSFET 6.0 mRDS(on),TYP@VGS=10VVery low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V 9.5 mRDS(on),TYP@VGS=4.5Pb-free lead plating; RoHS compliant 60 AIDTape and reelPart ID Package Type Markinginfomation100% UIS Tested100% Rg TestedS

9.1. Size:743K cn sps
sm6366ed1rl.pdf

SM6366ED1RL30V /34A Single N Power MOSFET D E03D E 30V /34A Single N Power MOSFET 34E03DGeneral Description 30 VV DS30V /34A Single N Power MOSFET 3.6 mRDS(on),TYP@VGS=10VVery low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V 5.7 mRDS(on),TYP@VGS=4.5Pb-free lead plating; RoHS compliant 34 AIDTape and reelPart ID Package Type Markinginfomation100% UIS Tested100% Rg Tested

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Liste

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