SM6362D1RL Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SM6362D1RL

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 31 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 60 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 4.4 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 340 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0086 Ohm

Encapsulados: DFN5X6

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SM6362D1RL datasheet

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SM6362D1RL

SM6362D1RL 30V /60A Single N Power MOSFET D N03D N 30V /60A Single N Power MOSFET 60N03D General Description 30 V V DS 30V /60A Single N Power MOSFET 6.0 m RDS(on),TYP@VGS=10V Very low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V 9.5 m RDS(on),TYP@VGS=4.5 Pb-free lead plating; RoHS compliant 60 A ID Tape and reel Part ID Package Type Marking infomation 100% UIS Tested 100% Rg Tested S

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SM6362D1RL

SM6366ED1RL 30V /34A Single N Power MOSFET D E03D E 30V /34A Single N Power MOSFET 34E03D General Description 30 V V DS 30V /34A Single N Power MOSFET 3.6 m RDS(on),TYP@VGS=10V Very low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V 5.7 m RDS(on),TYP@VGS=4.5 Pb-free lead plating; RoHS compliant 34 A ID Tape and reel Part ID Package Type Marking infomation 100% UIS Tested 100% Rg Tested

Otros transistores... SM4862EPRL, SM4953, SM514T9RL, SM600R65CT9RL, SM600R65CT2TL, SM600R65CT1TL, SM6204D1RL, SM6358D1RL, AO3407, SM6366ED1RL, SM6426D1RL, SM6442D1RL, SM6512D1RL, SM6536D1RL, SM6590D1RL, SM66406D1RL, SM6796D1RL