Справочник MOSFET. SM6362D1RL

 

SM6362D1RL Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SM6362D1RL
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 31 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 4.4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 340 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0086 Ohm
   Тип корпуса: DFN5X6
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SM6362D1RL Datasheet (PDF)

 ..1. Size:777K  cn sps
 sm6362d1rl.pdf pdf_icon

SM6362D1RL

SM6362D1RL30V /60A Single N Power MOSFET D N03D N 30V /60A Single N Power MOSFET 60N03DGeneral Description 30 VV DS30V /60A Single N Power MOSFET 6.0 mRDS(on),TYP@VGS=10VVery low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V 9.5 mRDS(on),TYP@VGS=4.5Pb-free lead plating; RoHS compliant 60 AIDTape and reelPart ID Package Type Markinginfomation100% UIS Tested100% Rg TestedS

 9.1. Size:743K  cn sps
 sm6366ed1rl.pdf pdf_icon

SM6362D1RL

SM6366ED1RL30V /34A Single N Power MOSFET D E03D E 30V /34A Single N Power MOSFET 34E03DGeneral Description 30 VV DS30V /34A Single N Power MOSFET 3.6 mRDS(on),TYP@VGS=10VVery low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V 5.7 mRDS(on),TYP@VGS=4.5Pb-free lead plating; RoHS compliant 34 AIDTape and reelPart ID Package Type Markinginfomation100% UIS Tested100% Rg Tested

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: IRF241 | NCE70T180D

 

 
Back to Top

 


 
.