SM6362D1RL MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SM6362D1RL
Маркировка: 6362
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 31 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.2 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 60 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 6.1 nC
Время нарастания (tr): 4.4 ns
Выходная емкость (Cd): 340 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0086 Ohm
Тип корпуса: DFN5X6
Аналог (замена) для SM6362D1RL
SM6362D1RL Datasheet (PDF)
sm6362d1rl.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
SM6362D1RL30V /60A Single N Power MOSFET D N03D N 30V /60A Single N Power MOSFET 60N03DGeneral Description 30 VV DS30V /60A Single N Power MOSFET 6.0 mRDS(on),TYP@VGS=10VVery low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V 9.5 mRDS(on),TYP@VGS=4.5Pb-free lead plating; RoHS compliant 60 AIDTape and reelPart ID Package Type Markinginfomation100% UIS Tested100% Rg TestedS
sm6366ed1rl.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
SM6366ED1RL30V /34A Single N Power MOSFET D E03D E 30V /34A Single N Power MOSFET 34E03DGeneral Description 30 VV DS30V /34A Single N Power MOSFET 3.6 mRDS(on),TYP@VGS=10VVery low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V 5.7 mRDS(on),TYP@VGS=4.5Pb-free lead plating; RoHS compliant 34 AIDTape and reelPart ID Package Type Markinginfomation100% UIS Tested100% Rg Tested
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .