SM6362D1RL datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SM6362D1RL

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 31 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 4.4 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 340 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0086 Ohm

Тип корпуса: DFN5X6

Аналог (замена) для SM6362D1RL

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SM6362D1RL даташит

 ..1. Size:777K  cn sps
 sm6362d1rl.pdf pdf_icon

SM6362D1RL

SM6362D1RL 30V /60A Single N Power MOSFET D N03D N 30V /60A Single N Power MOSFET 60N03D General Description 30 V V DS 30V /60A Single N Power MOSFET 6.0 m RDS(on),TYP@VGS=10V Very low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V 9.5 m RDS(on),TYP@VGS=4.5 Pb-free lead plating; RoHS compliant 60 A ID Tape and reel Part ID Package Type Marking infomation 100% UIS Tested 100% Rg Tested S

 9.1. Size:743K  cn sps
 sm6366ed1rl.pdf pdf_icon

SM6362D1RL

SM6366ED1RL 30V /34A Single N Power MOSFET D E03D E 30V /34A Single N Power MOSFET 34E03D General Description 30 V V DS 30V /34A Single N Power MOSFET 3.6 m RDS(on),TYP@VGS=10V Very low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V 5.7 m RDS(on),TYP@VGS=4.5 Pb-free lead plating; RoHS compliant 34 A ID Tape and reel Part ID Package Type Marking infomation 100% UIS Tested 100% Rg Tested

Другие IGBT... SM4862EPRL, SM4953, SM514T9RL, SM600R65CT9RL, SM600R65CT2TL, SM600R65CT1TL, SM6204D1RL, SM6358D1RL, AO3407, SM6366ED1RL, SM6426D1RL, SM6442D1RL, SM6512D1RL, SM6536D1RL, SM6590D1RL, SM66406D1RL, SM6796D1RL