SM6802S1RL MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SM6802S1RL
   Código: H29K
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 2.55 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 3.4 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 100 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.052 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23-6

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SM6802S1RL

SM6802S1RL Datasheet (PDF)

..1. Size:367K cn sps
sm6802s1rl.pdf

SM6802S1RL30V /3.6A Single 2N Power MOSFET B B03B B 30V /3.6A Single 2N Power MOSFET 4B03BGeneral Description 30 VV DS30V /3.6A Single 2N Power MOSFET 39.0 mRDS(on),TYP@VGS=10VVery low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V 60.0 mRDS(on),TYP@VGS=4.5Pb-free lead plating; RoHS compliant 3.6 AIDTape and reelPart ID Package Type Markinginfomation100% UIS Tested100% Rg T

9.1. Size:400K globaltech semi
gsm6801.pdf

30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM6801, P-Channel enhancement mode -30V/-3.8A,RDS(ON)=135m@VGS=-10.0V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to -30V/-2.8A,RDS(ON)=175m@VGS=-4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. -30V/-1.8A,RDS(ON)=245m@VGS=-2.5V These devices are particularly suited for low Super high density cell

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: