SM6802S1RL MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SM6802S1RL
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.6 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 3.4 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 100 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.052 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT23-6
Búsqueda de reemplazo de SM6802S1RL MOSFET
SM6802S1RL Datasheet (PDF)
sm6802s1rl.pdf

SM6802S1RL30V /3.6A Single 2N Power MOSFET B B03B B 30V /3.6A Single 2N Power MOSFET 4B03BGeneral Description 30 VV DS30V /3.6A Single 2N Power MOSFET 39.0 mRDS(on),TYP@VGS=10VVery low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V 60.0 mRDS(on),TYP@VGS=4.5Pb-free lead plating; RoHS compliant 3.6 AIDTape and reelPart ID Package Type Markinginfomation100% UIS Tested100% Rg T
gsm6801.pdf

30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM6801, P-Channel enhancement mode -30V/-3.8A,RDS(ON)=135m@VGS=-10.0V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to -30V/-2.8A,RDS(ON)=175m@VGS=-4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. -30V/-1.8A,RDS(ON)=245m@VGS=-2.5V These devices are particularly suited for low Super high density cell
Otros transistores... SM6366ED1RL , SM6426D1RL , SM6442D1RL , SM6512D1RL , SM6536D1RL , SM6590D1RL , SM66406D1RL , SM6796D1RL , AO3401 , SM9435 , SM95N03A , SM9926 , SMIRF10N65T1TL , SMIRF10N65T2TL , SMIRF12N65T1TL , SMIRF12N65T2TL , SMIRF13N50T1TL .
History: NTLJS3A18PZ | HGB105N15M | 7N65KG-TA3-T | SM8206ACT | AOTL66912Q | SUP75P03-07 | PJT7408
History: NTLJS3A18PZ | HGB105N15M | 7N65KG-TA3-T | SM8206ACT | AOTL66912Q | SUP75P03-07 | PJT7408



Liste
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