STU630S Todos los transistores

 

STU630S MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STU630S
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 42 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 46 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 24 nC
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 246 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.01 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252 DPAK
 

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STU630S Datasheet (PDF)

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STU630S

GreenProductSTU/D630SSamHop Microelectronics Corp.Ver 1.0N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).RDS(ON) (m) MaxVDSS IDRugged and reliable.10 @VGS=10VTO-252 and TO-251 Package.60V 46A18 @VGS=4.5V GSSTU SERIESSTD SERIESTO-252AA(D-PAK)TO-251(I-PAK)ABSOLUTE MAXIMU

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History: FCH47N60F133

 

 
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