STU630S Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: STU630S
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 42 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 46 A
Cossⓘ - Выходная емкость: 246 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.01 Ohm
Тип корпуса: TO252 DPAK
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
STU630S Datasheet (PDF)
stu630s.pdf

GreenProductSTU/D630SSamHop Microelectronics Corp.Ver 1.0N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).RDS(ON) (m) MaxVDSS IDRugged and reliable.10 @VGS=10VTO-252 and TO-251 Package.60V 46A18 @VGS=4.5V GSSTU SERIESSTD SERIESTO-252AA(D-PAK)TO-251(I-PAK)ABSOLUTE MAXIMU
Другие MOSFET... STU666S , FCH47N60 , STU664S , FCH47N60F , STU660 , FCH47N60N , STU650S , FCH47N60NF , IRFP450 , FCH76N60N , STU624S , FCH76N60NF , STU622S , FCI25N60NF102 , STU618S , FCI7N60 , STU616S .
History: 12N65KG-TA3-T | JCS5N50CT | FDC645NF095 | NVMFS5C628N | SI7913DN | NCEP026N10F | MC11N005
History: 12N65KG-TA3-T | JCS5N50CT | FDC645NF095 | NVMFS5C628N | SI7913DN | NCEP026N10F | MC11N005



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
40n06 | bc108b | oc84 | c6090 | ksa1015yta | 2n4240 | 2n5210 transistor | toshiba 2sc2290