STU624S MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STU624S
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 42 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 60 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 35 A
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 2 nC
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 142 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0175 Ohm
Paquete / Cubierta: TO252 DPAK
Búsqueda de reemplazo de MOSFET STU624S
STU624S Datasheet (PDF)
stu624s std624s.pdf
GrerrPPrPrProSTU/D624SSamHop Microelectronics Corp.Ver 1.0N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).RDS(ON) (m ) MaxVDSS IDRugged and reliable.17.5 @VGS=10VTO-252 and TO-251 Package.35A60V30 @VGS=4.5VGGSSSTU SERIESSTD SERIESTO-252AA(D-PAK)TO-251(I-PAK
stu622s std622s.pdf
GreerrPPrPrProSTU/D622SaS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.1N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).RDS(ON) (m ) MaxVDSS IDRugged and reliable.74 @ VGS=10VTO-252 and TO-251 Package.17A60V96 @ VGS=4.5VGGSSSTU SERIESSTD SERIES( )TO - 252AA D- PAK (
stu628s std628s.pdf
STU628SGreenProductSTD628SSamHop Microelectronics Corp.Ver 1.0N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).VDSS ID RDS(ON) (m) MaxRugged and reliable.12.5 @ VGS=10VTO-252 and TO-251 Package.60V 40A16 @ VGS=4.5VGGSSSTU SERIESSTD SERIESTO-252AA(D-PAK)TO-251(I-PAK)
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