STU624S MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: STU624S
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 42 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 35 A
Общий заряд затвора (Qg): 2 nC
Выходная емкость (Cd): 142 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0175 Ohm
Тип корпуса: TO252 DPAK
STU624S Datasheet (PDF)
stu624s std624s.pdf
GrerrPPrPrProSTU/D624SSamHop Microelectronics Corp.Ver 1.0N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).RDS(ON) (m ) MaxVDSS IDRugged and reliable.17.5 @VGS=10VTO-252 and TO-251 Package.35A60V30 @VGS=4.5VGGSSSTU SERIESSTD SERIESTO-252AA(D-PAK)TO-251(I-PAK
stu622s std622s.pdf
GreerrPPrPrProSTU/D622SaS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.1N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).RDS(ON) (m ) MaxVDSS IDRugged and reliable.74 @ VGS=10VTO-252 and TO-251 Package.17A60V96 @ VGS=4.5VGGSSSTU SERIESSTD SERIES( )TO - 252AA D- PAK (
stu628s std628s.pdf
STU628SGreenProductSTD628SSamHop Microelectronics Corp.Ver 1.0N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).VDSS ID RDS(ON) (m) MaxRugged and reliable.12.5 @ VGS=10VTO-252 and TO-251 Package.60V 40A16 @ VGS=4.5VGGSSSTU SERIESSTD SERIESTO-252AA(D-PAK)TO-251(I-PAK)
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
