YTF640 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: YTF640
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 125 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 200 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 18 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
   Carga de la puerta (Qg): 47 nC
   Tiempo de subida (tr): 15 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 460 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.18 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220AB

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YTF640 Datasheet (PDF)

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isc N-Channel MOSFET Transistor YTF640FEATURESDrain Current : I = 18A@ T =25D CDrain Source Voltage: V = 200V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R =0.18(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONmotor drive, DC-DC converter, power switchand solenoid drive.ABSO

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Liste

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