YTF640 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: YTF640
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 460 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.18 Ohm
Тип корпуса: TO220AB
Аналог (замена) для YTF640
YTF640 Datasheet (PDF)
ytf640.pdf

isc N-Channel MOSFET Transistor YTF640FEATURESDrain Current : I = 18A@ T =25D CDrain Source Voltage: V = 200V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R =0.18(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONmotor drive, DC-DC converter, power switchand solenoid drive.ABSO
Другие MOSFET... 2SK3850I , YTF440 , YTF450 , YTF531 , YTF540 , YTF541 , YTF630 , YTF631 , 7N60 , YTF820 , YTF840 , 2SK3215 , 2SK3216-01 , 2SK3337N , 2SK3337W , 2SK3337-01 , 2SK3338N .
History: SPD30P06PG | JCS2N70CH | JCS13N50BC | TWS6428FJ
History: SPD30P06PG | JCS2N70CH | JCS13N50BC | TWS6428FJ



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
fhp40n20 | 2n3035 transistor | 2sb649a | 2sd188 | k b778 transistor | 2n5133 datasheet | 2sa726 transistor | 7506 mosfet