YTF640 - аналоги и даташиты транзистора

 

YTF640 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: YTF640
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 460 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.18 Ohm
   Тип корпуса: TO220AB
 

 Аналог (замена) для YTF640

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

YTF640 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:67K  1
 ytf640.pdf pdf_icon

YTF640

 ..2. Size:288K  inchange semiconductor
 ytf640.pdf pdf_icon

YTF640

isc N-Channel MOSFET Transistor YTF640FEATURESDrain Current : I = 18A@ T =25D CDrain Source Voltage: V = 200V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R =0.18(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONmotor drive, DC-DC converter, power switchand solenoid drive.ABSO

Другие MOSFET... 2SK3850I , YTF440 , YTF450 , YTF531 , YTF540 , YTF541 , YTF630 , YTF631 , 4N60 , YTF820 , YTF840 , 2SK3215 , 2SK3216-01 , 2SK3337N , 2SK3337W , 2SK3337-01 , 2SK3338N .

History: FK8V0606 | IRFU12N25D | STP80PF55 | ZXMN2A01E6 | MMN8818E | WM02N70ME | IRF7103TR

 

 
Back to Top

 


 
.