YTF640 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: YTF640

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 460 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.18 Ohm

Тип корпуса: TO220AB

Аналог (замена) для YTF640

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

YTF640 даташит

 ..1. Size:67K  1
 ytf640.pdf pdf_icon

YTF640

 ..2. Size:288K  inchange semiconductor
 ytf640.pdf pdf_icon

YTF640

isc N-Channel MOSFET Transistor YTF640 FEATURES Drain Current I = 18A@ T =25 D C Drain Source Voltage V = 200V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R =0.18 (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. ABSO

Другие IGBT... 2SK3850I, YTF440, YTF450, YTF531, YTF540, YTF541, YTF630, YTF631, AO3407, YTF820, YTF840, 2SK3215, 2SK3216-01, 2SK3337N, 2SK3337W, 2SK3337-01, 2SK3338N