YTF820 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: YTF820

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 40 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 120 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3 Ohm

Encapsulados: TO220AB

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YTF820 datasheet

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YTF820

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YTF820

isc N-Channel MOSFET Transistor YTF820 FEATURES Drain Current I = 2.5A@ T =25 D C Drain Source Voltage V = 500V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R =3 (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. ABSOLU

Otros transistores... YTF440, YTF450, YTF531, YTF540, YTF541, YTF630, YTF631, YTF640, 18N50, YTF840, 2SK3215, 2SK3216-01, 2SK3337N, 2SK3337W, 2SK3337-01, 2SK3338N, 2SK3338W